Pat
J-GLOBAL ID:200903005941013616
発光装置及びその作製方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002175119
Publication number (International publication number):2003114626
Application date: Jun. 14, 2002
Publication date: Apr. 18, 2003
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】層間絶縁膜として適した有機樹脂材料は、水蒸気を透過し、水分を吸収しやすいという特性を持っている。一方、有機化合物層は、低分子系、高分子系によらず、酸素や水分に極めて弱く、すぐ劣化してしまうという欠点を有している。さらに発光素子の陽極もしくは陰極に、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属が用いられ、これらは酸素により酸化しやすい。すなわち水分は発光素子の劣化の要因となり、ダークスポット等の不良の原因となる。【解決手段】 絶縁表面上に形成されたTFT上に、有機樹脂材料から成る層間絶縁膜が形成され、当該層間絶縁膜上に、一対の電極間に有機化合物から成る発光層が形成された発光素子が設けられ、前記層間絶縁膜と前記発光素子との間に、珪素と窒素とを主成分とする無機絶縁膜、或いはSP3結合を有し水素を含有する炭素膜が形成された発光装置を提供する。
Claim (excerpt):
絶縁表面上に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に設けられた有機材料から成る層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられ一対の電極間に発光層を有する発光素子と、前記層間絶縁膜と前記発光素子との間に珪素及び窒素を主成分とする無機絶縁膜とを有し、前記無機絶縁膜は、珪素の含有比率が25.0atomic%以上35.0atomic%以下であり、窒素の含有比率が35.0atomic%以上65.0atomic%以下であることを特徴とする発光装置。
IPC (8):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
, H01L 21/314
, H01L 21/318
, H01L 29/786
, H05B 33/10
, H05B 33/14
, H05B 33/22
FI (8):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, H01L 21/314 A
, H01L 21/318 B
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H05B 33/22 Z
, H01L 29/78 619 A
F-Term (79):
3K007AB08
, 3K007AB11
, 3K007AB12
, 3K007AB13
, 3K007FA01
, 5C094AA15
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094EA04
, 5C094EA07
, 5C094FB15
, 5F058BA04
, 5F058BA05
, 5F058BC08
, 5F058BC20
, 5F058BF15
, 5F058BF30
, 5F058BJ04
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD11
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE23
, 5F110EE28
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG31
, 5F110GG34
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL12
, 5F110HL23
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN28
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN72
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP13
, 5F110PP34
, 5F110QQ11
, 5F110QQ24
, 5F110QQ25
, 5F110QQ28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
-
電気光学装置及びその作製方法並びに電子装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-166777
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-127206
Applicant:大日本印刷株式会社
-
自発光装置及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-047201
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-032888
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
フッ素を含むシリコン系酸化膜およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-140453
Applicant:ソニー株式会社
-
EL表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-281794
Applicant:三洋電機株式会社
-
有機EL発光素子およびそれを用いた発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-138326
Applicant:出光興産株式会社
-
反射型液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-132746
Applicant:株式会社リコー
-
有機電界発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-311803
Applicant:三菱化学株式会社
-
有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-082165
Applicant:双葉電子工業株式会社
-
電子デバイス及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-262052
Applicant:九州松下電器株式会社, 中島寛
-
TFT型液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-238509
Applicant:アルプス電気株式会社
Show all
Return to Previous Page