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J-GLOBAL ID：200903090009108461

バッチ式真空処理装置

Inventor： 高橋 誠一 ,  中村 聡 ,  林 俊雄 ,  清水 豪 ,  柳沢 伸二 ,  柘植 宏之 ,  藤村 修三
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001322848
Publication number (International publication number)：2003133284
Application date： Oct. 19, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】遠隔プラズマ処理プロセス処理を用い、ウェハの自然酸化膜除去などの表面処理を効率的に行うことができ、ウェハの歩留り悪化や装置負担を軽減し得るバッチ式真空処理装置を提供する。【解決手段】上下方向に連通可能となるように縦型に構成される一対のチャンバを備えるバッチ式真空処理装置11の一対のチャンバのうち、上側チャンバを加熱チャンバ13として用い、下側チャンバをプロセスチャンバ12として用いる。この装置11を用い、プラズマ発生部15により発生する水素ラジカルを用いてプロセスチャンバ12内のウェハ5をバッチ単位で遠隔プラズマ処理し、自然酸化膜を除去する。さらに、バッチ単位のウェハ5を加熱チャンバ13に移送し、加熱処理を行ってウェハ5の副生成物であるアンモニア錯体の除去処理を行う。

Claim (excerpt)：

上下方向に連通可能となるように縦型に構成される一対のチャンバを備えることを特徴とするバッチ式真空処理装置。

F-Term (8)：

5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BB14 ,  5F004BB19 ,  5F004DA17 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 予備真空室およびそれを用いた真空処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-026316   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 特開平3-055838
  
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-060213   Applicant：株式会社日立国際電気
• 基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-290758   Applicant：株式会社日立国際電気