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J-GLOBAL ID：200903065832764426

デバイス及びAlxGayInzN構造の組立方法

Inventor： キャリー・カーター・コマン ,  アール・スコット・カーン ,  フレッド・エイ・キッシュ,ジュニア ,  マイケル・アール・クレイムス ,  アルト・ブイ・ナーミコ ,  ユーン-キュ・ソン
Applicant, Patent owner： アジレント・テクノロジーズ・インク
Agent (1)： 加藤 公久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000025788
Publication number (International publication number)：2000228563
Application date： Feb. 02, 2000
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】誘電体分布ブラッグ・リフレクタ(D-DBR)を用いて該高反射率ミラーを備える半導体デバイスの構造を与える。【解決手段】 基板(12)と、基板に近接して配置されたnタイプ層(18a)、pタイプ層(18b)、及び、活性層を含むAlxGayInzN構造(18)と、基板とAlxGayInzN構造の底側の間に入る第1のミラー・スタック(14)と、第1のミラー・スタックと基板及びAlxGayInzN構造の選択された方との間に入る、あるボンディング温度を有するウェーハ・ボンド界面(16)と、p及びnの接触部(22a、22b)が含まれており、p接触部がpタイプ層に電気的に接続され、n接触部がnタイプ層に電気的に接続されることを特徴とする、デバイス。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板に近接して配置されたnタイプ層pタイプ層及び活性層を含むAlxGayInzN構造と、前記基板と前記AlxGayInzN構造の底側の間に入る第1のミラー・スタックと、第1のミラー・スタックと前記基板及び前記AlxGayInzN構造の選択された方との間に入る、あるボンディング温度を有するウェーハ・ボンド界面と、pタイプ及びnタイプの接触部が含まれており、pタイプの接触部がpタイプ層に電気的に接続され、nタイプの接触部がnタイプ層に電気的に接続されることを特徴とする、デバイス。

IPC (3)：

H01S 5/183 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01S 5/183 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• ダイヤモンド層を含む多層膜構造、それを有する光デバイス、およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-051076   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-249069   Applicant：アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213676   Applicant：ローム株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-116613   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-051141   Applicant：株式会社東芝
• 複合基板材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-227650   Applicant：松下電器産業株式会社
• 集積装置を製造するための半導体材料のウェハ、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-327021   Applicant：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.

Cited by examiner (7)

• ダイヤモンド層を含む多層膜構造、それを有する光デバイス、およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-051076   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-249069   Applicant：アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213676   Applicant：ローム株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-116613   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-051141   Applicant：株式会社東芝
• 複合基板材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-227650   Applicant：松下電器産業株式会社
• 集積装置を製造するための半導体材料のウェハ、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-327021   Applicant：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 159, R3 (1997)
• Appl. Phys. Lett., Vol. 72, No. 5, pp.599-601, 2 February 1998

Cited by examiner (2)

• Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 159, R3 (1997)
• Appl. Phys. Lett., Vol. 72, No. 5, pp.599-601, 2 February 1998