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J-GLOBAL ID：200903090161593162

半導体装置

Inventor：
長谷川 義晃

About 長谷川 義晃

, 
上田 大助

About 上田 大助

, 
油利 正昭

About 油利 正昭


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006141240
Publication number (International publication number)：2007311682
Application date： May. 22, 2006
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：
【課題】放熱効率が高く高出力動作時においても長期間の信頼性を有し且つ歩留まりの低下及びコストの上昇が生じることがない半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体装置は、III-V族窒化物半導体からなる基板10と、基板10の主面上に形成され、n型半導体層12及びp型半導体層14を含む半導体積層体11と、半導体積層体10の上に形成され、半導体積層体11と比べて熱伝導率が高い第1の絶縁膜15とを備えている。p型半導体層14はリッジストライプ部14aを有し、第1の絶縁膜15は、少なくともp型半導体層14におけるリッジストライプ部14aの両側方の領域を覆うように形成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
III-V族窒化物半導体からなる基板と、 前記基板の主面上に形成されたn型半導体層及びp型半導体層を含む半導体積層体と、 前記半導体積層体の上に形成され、前記半導体積層体と比べて熱伝導率が高い材料からなる第1の絶縁膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01S 5/323 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/042 ,  H01S 5/026
FI (4)：
H01S5/323 610 ,  H01S5/22 ,  H01S5/042 612 ,  H01S5/026 612
F-Term (26)：
5F173AA08 ,  5F173AA47 ,  5F173AD11 ,  5F173AF95 ,  5F173AF96 ,  5F173AG01 ,  5F173AG03 ,  5F173AG11 ,  5F173AH22 ,  5F173AK08 ,  5F173AK15 ,  5F173AK21 ,  5F173AL07 ,  5F173AL12 ,  5F173AL13 ,  5F173AL21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP83 ,  5F173AQ04 ,  5F173AR14 ,  5F173AR15 ,  5F173AR32 ,  5F173AR72 ,  5F173AR93
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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