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J-GLOBAL ID:200903090186489556
結晶性酸化物誘電体薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体およびそれを用いた電子素子およびそれらの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 純之助 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996262697
Publication number (International publication number):1998107216
Application date: Oct. 03, 1996
Publication date: Apr. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】リーク電流が少なく、絶縁破壊耐圧が高く、経時的絶縁破壊寿命が充分長い結晶性酸化物誘電体層を有するIS構造、すなわち結晶性酸化物誘電体薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体を実現する。【解決手段】単結晶シリコン半導体基体1に結晶性酸化物誘電体薄膜2を成長させた複合構造体において、前記結晶性酸化物誘電体薄膜2を、成長後に活性酸素雰囲気で熱処理を施された薄膜(例えば安定化ジルコニア、酸化セリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化イットリウムの何れかからなる単層膜または積層膜)で形成した複合構造体。
Claim (excerpt):
単結晶シリコン半導体基体に結晶性酸化物誘電体薄膜を成長させた複合構造体において、前記結晶性酸化物誘電体薄膜が、成長後に活性酸素雰囲気で熱処理を施された薄膜であることを特徴とする結晶性酸化物誘電体薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体。
IPC (10):
H01L 27/10 451
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 41/08
, H01L 49/00
FI (6):
H01L 27/10 451
, H01L 49/00 Z
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
, H01L 41/08 D
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (14)
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特開平1-128531
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特開平2-283022
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特開平2-283022
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特開平4-199828
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-176365
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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半導体記憶素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-243232
Applicant:旭化成工業株式会社, 垂井康夫
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配向性強誘電体薄膜素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-163891
Applicant:富士ゼロックス株式会社
-
電子デバイスおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-102511
Applicant:三菱電機株式会社
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半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-218743
Applicant:沖電気工業株式会社
-
酸化物薄膜の熱処理方法および熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-257968
Applicant:株式会社日立製作所
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強誘電体薄膜と基体との複合構造体およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-322206
Applicant:垂井康夫, 日産自動車株式会社
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強誘電体薄膜の形成方法及び半導体素子のキャパシタ構造の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-245516
Applicant:ソニー株式会社
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誘電体素子及び誘電体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-033807
Applicant:三洋電機株式会社
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特開昭63-015442
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Cited by examiner (4)