Pat
J-GLOBAL ID：200903090186489556

結晶性酸化物誘電体薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体およびそれを用いた電子素子およびそれらの製造方法

Inventor：
谷本 智

About 谷本 智


Applicant, Patent owner：
日産自動車株式会社

About 日産自動車株式会社


Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996262697
Publication number (International publication number)：1998107216
Application date： Oct. 03, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】リーク電流が少なく、絶縁破壊耐圧が高く、経時的絶縁破壊寿命が充分長い結晶性酸化物誘電体層を有するIS構造、すなわち結晶性酸化物誘電体薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体を実現する。【解決手段】単結晶シリコン半導体基体1に結晶性酸化物誘電体薄膜2を成長させた複合構造体において、前記結晶性酸化物誘電体薄膜2を、成長後に活性酸素雰囲気で熱処理を施された薄膜(例えば安定化ジルコニア、酸化セリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化イットリウムの何れかからなる単層膜または積層膜)で形成した複合構造体。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン半導体基体に結晶性酸化物誘電体薄膜を成長させた複合構造体において、前記結晶性酸化物誘電体薄膜が、成長後に活性酸素雰囲気で熱処理を施された薄膜であることを特徴とする結晶性酸化物誘電体薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体。
IPC (10)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/08 ,  H01L 49/00
FI (6)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM