アルミニウム-窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：澤木誠一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998309521
Publication number (International publication number)：2000124585
Application date： Oct. 16, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】従来のアルミニウム-窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法においては、窒化アルミニウムとアルミニウムとの間に未接欠陥が発生しやすく、また、窒化アルミニウムの表面に予め酸化物を形成しなければならないという欠点があった。【解決手段】本発明のアルミニウム-窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法によれば、窒化アルミニウム基板の両面にAgを含むペースト状ろう材を形成し、その上に上記窒化アルミニウム基板を挟むようにAl板材を重ねて、真空中でろう接した後、湿式エッチング法により所望形状のAl回路及びベース板を形成し、更に、Al部分の全面または一部にNiめっき層を形成する。上記ペースト状ろう材としては、銀20重量%以上を含むAg-Al系ペースト状ろう材、銀単体及び銀合金ペースト状ろう材、Ti、Mg、Si、Zn、Sn、Cuを1〜10重量%含むAl-Ag合金系ペースト状ろう材、または、Ti、Al、Mg、Si、Zn、Sn、Cuを含む銀合金系ペースト状ろう材を使用する。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウム基板の両面にAgを含むペースト状ろう材を形成し、このようにした窒化アルミニウム基板を挟むようにこれにAl板材を重ねて、真空中でろう接した後、湿式エッチング法により所望形状のAl回路及びベース板を形成し、更に、Al板材の全面または一部にNiめっき層を形成することを特徴とするアルミニウム-窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法。

IPC (8)：

H05K 3/24 , B32B 18/00 , C04B 37/02 , H01L 23/14 , H05K 1/03 610 , H05K 1/09 , H05K 3/06 , H05K 3/38

FI (8)：

H05K 3/24 A , B32B 18/00 D , C04B 37/02 B , H05K 1/03 610 E , H05K 1/09 A , H05K 3/06 A , H05K 3/38 C , H01L 23/14 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化アルミニウム回路基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-336718 Applicant：電気化学工業株式会社
特開昭61-291940
特開平2-088482

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