Pat
J-GLOBAL ID：200903090260886210

強誘電体キャパシタ、強誘電体不揮発性記憶装置および強誘電体装置

Inventor：
クリスチャン・グットレーベン

About クリスチャン・グットレーベン


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997103457
Publication number (International publication number)：1998294432
Application date： Apr. 21, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 Si基板や金属膜や電極上に強誘電体膜を積層する場合や強誘電体膜上に金属膜や電極を積層する場合に、強誘電体膜とSi基板や金属膜や電極との間の反応および/または拡散を防止することができる強誘電体キャパシタ、強誘電体不揮発性記憶装置および強誘電体装置を提供する。【解決手段】 強誘電体不揮発性メモリにおいて、Si基板1上に、強誘電体膜、例えばSBT膜3および金属膜、例えばPt膜5を積層する場合に、Si基板1とSBT膜3との間およびSBT膜3とPt膜5との間に、Ca,SrおよびBaからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のアルカリ土類金属元素のフッ化物からなる反応および/または拡散防止膜、例えばCaF2 膜2、4をそれぞれ設ける。
Claim (excerpt)：
半導体基体と電極との間に強誘電体膜をはさんだ構造の強誘電体キャパシタにおいて、上記半導体基体と上記強誘電体膜との間および上記強誘電体膜と上記電極との間の少なくとも一方に、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のアルカリ土類金属元素のフッ化物からなる反応および/または拡散防止膜が設けられていることを特徴とする強誘電体キャパシタ。
IPC (8)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM