レジストパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994009578
Publication number (International publication number)：1995092694
Application date： Jan. 31, 1994
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】化学増幅レジストを用いて良好な断面形状を有し、線幅制御性の高いレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】半導体基板上に化学増幅レジストを用いてレジストパターンを形成する際に、化学増幅レジストを半導体基板上に塗布する前に、上記化学増幅レジスト内に露光時に発生する酸に対して不活性となる不活性化処理と疎水化処理とを行う。

Claim (excerpt)：

レジスト塗布面に光酸発生剤を含む化学増幅レジストを塗布、露光、現像して所定のレジストパターンを得るレジストパターン形成方法において、上記塗布前に、上記レジスト塗布面が上記化学増幅レジスト内に光照射で発生する酸に対し反応しない不活性層を形成する不活性化処理と疎水化処理とを行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/38 501 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平4-221814
特開平4-338959
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-235134 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page