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J-GLOBAL ID：200903090465716279

半導体装置の製造方法

Inventor：
中村 光良

About 中村 光良


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 中澤 昭彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998229219
Publication number (International publication number)：2000058646
Application date： Aug. 14, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】良質で平坦性の優れた平坦化膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】段差部を平坦化する平坦化膜を備えた半導体装置の製造方法であって、平坦化膜は、段差部上にシリコン酸化膜6を形成する工程と、シリコン酸化膜6上にポリシロキサン系SOG(スピンオングラス)7を被覆する工程と、ポリシロキサン系SOG7上にポリシラザン系SOG8を被覆する工程と、積層された膜を減圧熱処理する工程と、により形成される。
Claim (excerpt)：
段差部を平坦化する平坦化膜を備えた半導体装置の製造方法であって、前記平坦化膜は、前記段差部上にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上にポリシロキサン系SOG(スピンオングラス)を被覆する工程と、前記ポリシロキサン系SOG上にポリシラザン系SOGを被覆する工程と、前記積層された膜を減圧熱処理する工程と、により形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316
FI (2)：
H01L 21/90 Q ,  H01L 21/316 M
F-Term (14)：
5F033AA63 ,  5F033BA12 ,  5F033EA03 ,  5F033EA25 ,  5F033EA27 ,  5F033EA29 ,  5F033EA32 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH08 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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