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J-GLOBAL ID：200903090494084966

半導体センサ

Inventor：
クンゼ・マイク

About クンゼ・マイク

, 
ダウミラー・インゴ

About ダウミラー・インゴ


Applicant, Patent owner：
ミクロガン ゲーエムベーハー

About ミクロガン ゲーエムベーハー


Agent (1)： 斉藤 達也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008525471
Publication number (International publication number)：2009505045
Application date： Aug. 08, 2006
Publication date： Feb. 05, 2009
Summary：
【課題】本発明の目的は、大きなバンドギャップを有する半導体をベースとして安定し且つ再現可能な信号を生成する、媒体の物理的及び/又は化学的特性を決定する半導体センサを利用可能にすることである。【解決手段】本発明は媒体の物理的特性及び/又は化学的特性を決定する半導体センサ、詳細にはpHセンサに関する。本発明による半導体センサ(1)は感応面を有する電子要素(3)を備え、前記要素は大きいバンドギャップを有する半導体(ワイドギャップ半導体)をベースとしてその一部が構成されている。前記感応面の少なくとも一領域には、イオン感応面を有する機能層配列(4)が備わっている。前記機能層配列(4)は、少なくとも決定対象の媒体及び/又は材料若しくはイオンに対して不透過性である少なくとも一つの層を有する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
媒体の物理的特性及び/又は化学的特性を決定する、感応面を有する電子要素(3)を備えた、詳細にはpHセンサである半導体センサ(1)であって、前記電子要素(3)の構成は、大きいバンドギャップを有する半導体(「ワイドギャップ半導体」)をベースとしており、 少なくとも機能層配列(4)を有する領域において前記感応面がイオン感応面を有し、前記イオン感応面が前記電子要素の前記感応面とは反対側にあると共に少なくとも一つの層で被覆され、前記機能層配列(4)が少なくとも決定対象の前記媒体及び/又は材料、若しくはイオンに対して不透過性であること、 を特徴とする半導体センサ。
IPC (2)：
G01N 27/414 ,  G01N 27/416
FI (4)：
G01N27/30 301U ,  G01N27/30 301E ,  G01N27/46 353Z ,  G01N27/46 381
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 独国特許出願公開第10062044号明細書
Cited by examiner (10)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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