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J-GLOBAL ID：200903090618769636

銅キャッピング層の製造方法

Inventor： 劉 志建 ,  王 坤池 ,  謝 文益 ,  黄 益民
Applicant, Patent owner： 聯華電子股▲分▼有限公司
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999131644
Publication number (International publication number)：2000332015
Application date： May. 12, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 銅キャッピング層の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンリッチ窒化物層を露出させた銅層上に形成する。シリコンリッチ窒化物層は内部に多くのダングリングボンドを含むので、シリコンリッチ窒化物層中のシリコンが銅と反応し、その結果銅シリサイド層が銅とシリコンリッチ窒化物層の間に形成される。この銅シリサイド層の形成により銅とシリコンリッチ窒化物層の間の密着性が改善される。

Claim (excerpt)：

銅層を準備し、該銅層上にシリコンリッチ窒化物層を形成し、前記シリコンリッチ窒化物層の形成時に銅シリサイド層が前記銅層とシリコンリッチ窒化物層との間に形成されることを特徴とする銅キャッピング層の製造方法。

F-Term (32)：

5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR20 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033WW00 ,  5F033XX14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電子装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-361143   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-137144   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-003541   Applicant：日本電気株式会社