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J-GLOBAL ID：200903098149269636
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997003541
Publication number (International publication number)：1998199881
Application date： Jan. 13, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 配線層として銅(Cu)を用いる半導体装置では、Cu配線を被覆する絶縁膜の形成によって、Cuの表面が酸化されて抵抗の増大が生じ、またCuが絶縁膜に拡散されて絶縁効果か低下されてリークが生じ易いものとなる。【解決手段】 半導体基板101上に第1絶縁膜104aを形成し、この第1絶縁膜上に主導電層がCu或いはCu合金の単層あるいは複数層の導電膜より構成される金属配線(106a,107a,106b)を形成し、この配線を第2絶縁膜108aで被覆する。そして、この第2絶縁膜にP,B,As,Pb,N等の不純物を導入することで、配線のCuの露出する領域がCuの拡散防止能力の高い絶縁膿と接する状態にでき、配線の周囲がCuの酸化防止、Cuの拡散防止、Cuの耐エレクトロマイグレーション性や耐ストレスマイグレーション性の改善が可能となる。その上に第3の絶縁膜110aを形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜上に単層あるいは複数層の導電膜より構成される金属配線を形成する工程と、前記第1絶縁膜および前記金属配線上に前記金属配線の酸化温度よりも低い温度で第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜に前記金属配線の金属拡散防止能力のある不純物を導入する工程と、前記第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程を有する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
H01L 21/88 M
, H01L 21/28 301 R
