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J-GLOBAL ID:200903090676125978

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007285493
Publication number (International publication number):2009117427
Application date: Nov. 01, 2007
Publication date: May. 28, 2009
Summary:
【課題】本発明は、アンダーフィル剤中のボイドの発生が少なく、電極や半導体チップおよび回路基板とアンダーフィル剤との密着力に優れ、さらに接続信頼性にも優れた実装構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供すること課題とする。【解決手段】半導体チップ1の電極2が回路基板3の電極パッド4に接合される。半導体チップ1と回路基板3との間が第2の樹脂層5により封止される。半導体チップ1の電極2の周囲に第1の樹脂層7が密着して設けられる。第1の樹脂層7の周囲に第2の樹脂層5が設けられる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
半導体チップの電極が回路基板の電極パッドに接合され、該半導体チップと該回路基板との間が第2の樹脂層により封止されている半導体装置であって、 前記半導体チップの前記電極の周囲に第1の樹脂層が密着して設けられ、該第1の樹脂層の周囲に前記第2の樹脂層が設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1):
H01L 21/60
FI (1):
H01L21/60 311S
F-Term (2):
5F044LL11 ,  5F044QQ04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)

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