Pat
J-GLOBAL ID:200903090708583639
半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
前田 弘 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995258515
Publication number (International publication number):1997102650
Application date: Oct. 05, 1995
Publication date: Apr. 15, 1997
Summary:
【要約】【課題】 封止材としての絶縁材がレーザ発光点に接しているため材質が劣化が生して光特性が悪くなる。【解決手段】 半導体レーザチップ4をダイパッド2に搭載する。半導体レーザチップ4の発光部9を透明な光学部材6で覆う。半導体レーザチップ4、ダイパッド2、電極端子3及び光学部材6を電極端子3のアウター端子部を除いて透明な絶縁材11で封止する。これにより、光特性の劣化のない量産に適した,リードフレーム1に実装された半導体レーザ装置を得る。
Claim (excerpt):
ダイパッドに直接又はヒートシンク基板を介して搭載され、前記ダイパッドの外周りに配置された電極端子に電気的に接続された半導体レーザチップと、前記半導体レーザチップの出射光を発する発光部を覆うように設けられた透明な光学部材と、前記半導体レーザチップ、ダイパッド、ヒートシンク基板、電極端子及び光学部材を前記電極端子のアウター端子部を除いて封止する透明な絶縁材とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (6):
H01S 3/18
, G11B 7/125
, H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 23/48
FI (5):
H01S 3/18
, G11B 7/125 A
, H01L 23/28 D
, H01L 23/48 Y
, H01L 23/30 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
特開平4-147691
-
半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-264575
Applicant:松下電子工業株式会社
-
特開平4-114456
-
特開昭63-186469
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-356759
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
Show all
Return to Previous Page