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J-GLOBAL ID:200903090718947302

平滑表面をもつ有機イオン結晶の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 工業技術院東北工業技術研究所長
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999284351
Publication number (International publication number):2001105285
Application date: Oct. 05, 1999
Publication date: Apr. 17, 2001
Summary:
【要約】【課題】 比較的簡単な操作により、分子レベルで平滑化された面を有する有機イオン結晶を得る。【解決手段】 有機イオン結晶表面に、先端曲率半径5〜40nmの探針を接触させ、この探針に5〜300nNの圧力を印加しながら二次元的に走査し、中心線表面粗さ(Ra)5nm以下及び最大高さ(Rmax)50nm以下になるまで研削する。
Claim (excerpt):
有機イオン結晶表面に、先端曲率半径5〜40nmの探針を接触させ、この探針に5〜300nNの圧力を印加しながら二次元的に走査し、中心線表面粗さ(Ra)5nm以下及び最大高さ(Rmax)50nm以下になるまで研削することを特徴とする平滑表面をもつ有機イオン結晶の製造方法。
IPC (2):
B24B 1/00 ,  G02F 1/361
FI (2):
B24B 1/00 B ,  G02F 1/361
F-Term (9):
2K002CA05 ,  2K002DA01 ,  2K002EA01 ,  2K002FA22 ,  2K002HA13 ,  3C049AA09 ,  3C049BA02 ,  3C049CA01 ,  3C049CA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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