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J-GLOBAL ID：200903090825902958

半導体発光素子の製造方法

Inventor：
大塚 一昭

About 大塚 一昭


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995162437
Publication number (International publication number)：1997018080
Application date： Jun. 28, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：
【要約】【目的】 順メサの活性層への効率的な電流狭窄が行え十分な光出力が得られると共に歩留が向上するようにした半導体発光素子の製造方法を提供する。【構成】 InGaAsP活性層23を有する多層半導体構造をエッチングし形成した順メサ形状部A<SB>0 </SB>上に庇25aが形成されるようマスク25を設け、順メサ形状部A<SB>0 </SB>の両側をp-InP埋め込み層26、n-InP埋め込み層27で埋め、庇25aの長さW、庇25aの端から直下の順メサ形状部A<SB>0 </SB>の側面までの距離h<SB>0 </SB>、両埋め込み層の厚さtが、W/h<SB>0 </SB>≦0.6 ,t/h<SB>0 </SB><1.6であるので、庇25aと順メサ形状部A<SB>0 </SB>の側面との距離h<SB>0 </SB>に対し庇25aの長さWが比較的短く、両埋め込み層の厚さtも厚くなく、p-InP埋め込み層26が成長し易くなってn-InP埋め込み層27とInGaAsP活性層23が確実に分離され、また後で成長する層に大きな溝が生じなくなる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けられた活性層を有する多層半導体構造をマスクを設けて順メサ形状部を形成するようエッチングし、前記順メサ形状部上の該マスクに庇が形成されるようにした後、前記順メサ形状部の両側を互いに異なる極性の埋め込み層を積層して埋め込むようにした半導体発光素子の製造方法において、前記マスクの庇の長さW、庇の端から直下の前記順メサ形状部の側面までの距離h0 、前記順メサ形状部両側の前記埋め込み層の厚さtが、W/h0 ≦0.6t/h0 ≦2.0であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (30)
  • 特開平4-130691
  • 半導体レーザ素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-306372   Applicant：株式会社東芝
  • 埋込み構造半導体レーザの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-172059   Applicant：日本電信電話株式会社
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