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J-GLOBAL ID：200903090827881214

欠陥評価装置および方法

Inventor： 根本 孝七 ,  名雪 琢弥 ,  大石 祐嗣 ,  大沼 敏治
Applicant, Patent owner： 財団法人電力中央研究所
Agent (1)： 村瀬 一美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000199503
Publication number (International publication number)：2002014061
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 バルク材料など被測定物の内部欠陥の状況を表面から深い位置であっても有効に検出し評価する。【解決手段】 消滅する際のポジトロンがγ線を生じさせる陽電子消滅を利用して被測定物2内における格子欠陥などの欠陥3を検出し評価する際、X線を被測定物2に照射して被測定物2内にてパルスポジトロン群を発生させる。ポジトロンを、被測定物2表面から照射する代わりに物質透過性のある電磁波を利用して当該被測定物2の内部で発生させることで、被測定物2内部の欠陥3の表面からの深さ如何にかかわらず当該欠陥部分におけるポジトロンの消滅を可能とし、ポジトロン消滅時の特性γ線の発生タイミングまたはエネルギースペクトルを計測することにより欠陥を検出し評価する。

Claim (excerpt)：

消滅する際のポジトロンが特性γ線を生じさせる陽電子消滅を利用して被測定物内における格子欠陥などの欠陥を検出し評価する欠陥評価装置において、X線を前記被測定物に照射することにより前記被測定物内にてパルスポジトロン群を発生させ、前記ポジトロン消滅時の特性γ線の発生タイミングまたはエネルギースペクトルを計測することにより欠陥を検出し評価することを特徴とする欠陥評価装置。

IPC (2)：

G01N 23/22 ,  G21K 5/02

FI (2)：

G01N 23/22 ,  G21K 5/02 X

F-Term (16)：

2G001AA01 ,  2G001AA02 ,  2G001AA03 ,  2G001AA07 ,  2G001AA10 ,  2G001BA28 ,  2G001CA02 ,  2G001DA02 ,  2G001FA17 ,  2G001GA01 ,  2G001GA03 ,  2G001GA08 ,  2G001JA01 ,  2G001KA03 ,  2G001LA02 ,  2G001NA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭54-041792
  
• X線光源装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-257640   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 放射性汚染物質用非破壊検査装置と検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-024014   Applicant：株式会社東芝
• X線照射装置及びX線発生位置検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-228890   Applicant：株式会社ニコン

Cited by examiner (4)

• 特開昭54-041792
  
• 特開昭54-041792
  
• X線光源装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-257640   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 放射性汚染物質用非破壊検査装置と検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-024014   Applicant：株式会社東芝