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J-GLOBAL ID:200903090827881214

欠陥評価装置および方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 村瀬 一美
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000199503
Publication number (International publication number):2002014061
Application date: Jun. 30, 2000
Publication date: Jan. 18, 2002
Summary:
【要約】【課題】 バルク材料など被測定物の内部欠陥の状況を表面から深い位置であっても有効に検出し評価する。【解決手段】 消滅する際のポジトロンがγ線を生じさせる陽電子消滅を利用して被測定物2内における格子欠陥などの欠陥3を検出し評価する際、X線を被測定物2に照射して被測定物2内にてパルスポジトロン群を発生させる。ポジトロンを、被測定物2表面から照射する代わりに物質透過性のある電磁波を利用して当該被測定物2の内部で発生させることで、被測定物2内部の欠陥3の表面からの深さ如何にかかわらず当該欠陥部分におけるポジトロンの消滅を可能とし、ポジトロン消滅時の特性γ線の発生タイミングまたはエネルギースペクトルを計測することにより欠陥を検出し評価する。
Claim (excerpt):
消滅する際のポジトロンが特性γ線を生じさせる陽電子消滅を利用して被測定物内における格子欠陥などの欠陥を検出し評価する欠陥評価装置において、X線を前記被測定物に照射することにより前記被測定物内にてパルスポジトロン群を発生させ、前記ポジトロン消滅時の特性γ線の発生タイミングまたはエネルギースペクトルを計測することにより欠陥を検出し評価することを特徴とする欠陥評価装置。
IPC (2):
G01N 23/22 ,  G21K 5/02
FI (2):
G01N 23/22 ,  G21K 5/02 X
F-Term (16):
2G001AA01 ,  2G001AA02 ,  2G001AA03 ,  2G001AA07 ,  2G001AA10 ,  2G001BA28 ,  2G001CA02 ,  2G001DA02 ,  2G001FA17 ,  2G001GA01 ,  2G001GA03 ,  2G001GA08 ,  2G001JA01 ,  2G001KA03 ,  2G001LA02 ,  2G001NA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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