Pat
J-GLOBAL ID：200903090849237289

半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor：
大塚 文雄

About 大塚 文雄


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

About 株式会社半導体先端テクノロジーズ


Agent (3)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003154066
Publication number (International publication number)：2004356477
Application date： May. 30, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：
【課題】高誘電率膜、特にHfO2を、HF水溶液を用いたエッチングの際にエッチング残渣なく除去する。【解決手段】下地基板に、高誘電率膜を形成し、この高誘電率膜上に、配線を形成する。配線をマスクとして、高誘電率膜と結合して反応するイオンを注入した後、高誘電率膜を除去する。具体的に、例えば、高誘電率膜として、HfO2を用いて、Alイオンまたは、Siイオンを注入し、HfO2膜中の酸素と、注入したイオンとを結合させた後、HF水溶液により、エッチングする。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
下地基板に、高誘電率膜を形成する高誘電率膜形成工程と、 前記高誘電率膜上に、配線を形成する配線形成工程と、 前記配線をマスクとして、前記高誘電率膜と結合して反応するイオンを注入するイオン注入工程と、 前記高誘電率膜を除去する高誘電率膜除去工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (5)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G ,  H01L21/265 W ,  H01L21/265 Y ,  H01L21/306 D
F-Term (59)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD17 ,  4M104DD81 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104HH16 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043DD17 ,  5F043GG10 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE14 ,  5F140BE15 ,  5F140BF04 ,  5F140BF14 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BG10 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC08 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM