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J-GLOBAL ID：200903024500034191

半導体装置の製造方法

Inventor： 杉田 義博 ,  森▲崎▼ 祐輔 ,  入野 清 ,  肖 石琴 ,  大場 隆之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002231786
Publication number (International publication number)：2004071973
Application date： Aug. 08, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】ジルコニアやハフニアからなる絶縁膜を、ウェット処理でエッチングすることにより半導体装置を作製する方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表面上に、ジルコニアまたはハフニアからなる絶縁膜を形成する。絶縁膜の表面の一部を、マスクパターンで覆う。マスクパターンをマスクとして、絶縁膜のうちマスクパターンで覆われていない部分にイオンを注入することにより、絶縁膜にダメージを与える。マスクパターンをマスクとして、絶縁膜の一部をエッチングする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

(a1)半導体基板の表面上に、ジルコニアまたはハフニアからなる絶縁膜を形成する工程と、 (a2)前記絶縁膜の表面の一部を、マスクパターンで覆う工程と、 (a3)前記マスクパターンをマスクとして、前記絶縁膜のうち前記マスクパターンで覆われていない部分にイオンを注入することにより、該絶縁膜にダメージを与える工程と、 (a4)前記マスクパターンをマスクとして、前記絶縁膜の一部をエッチングする工程と を有する半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L21/8238 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

FI (4)：

H01L27/08 321D ,  H01L21/316 M ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/306 T

F-Term (69)：

5F043AA37 ,  5F043AA38 ,  5F043BB25 ,  5F043DD01 ,  5F043DD17 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10 ,  5F048AC03 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB18 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048DA25 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BH11 ,  5F058BH15 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE14 ,  5F140BE15 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH22 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-322755   Applicant：松下電器産業株式会社
• 高誘電率ゲート絶縁体を有するULSIMOS
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-557496   Applicant：ラムリサーチコーポレーション
• 薄膜のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-284166   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-174304   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 基板処理方法および基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-075910   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-267207   Applicant：株式会社東芝