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J-GLOBAL ID：200903090888190923

発光素子及びその製造方法

Inventor： 雲見 日出也 ,  米原 隆夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994049022
Publication number (International publication number)：1994338631
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電極と発光性多孔質層との界面特性に優れた発光素子を供給すること。【構成】 結晶性半導体からなる発光性多孔質材料を含む発光領域と隣接する非多孔質領域を有する発光素子であって、前記発光領域と前記非多孔質領域の界面において両領域間の導電型が異なり、且つ両領域間の結晶構造が連続していることを特徴とする発光素子。【効果】 発光効率の優れた実用に供し得る発光素子を供給できる。

Claim (excerpt)：

結晶性半導体からなる発光性多孔質材料を含む発光領域と隣接する非多孔質領域を有する発光素子であって、前記発光領域と前記非多孔質領域の界面において両領域間の導電型が異なり、且つ両領域間の結晶構造が連続していることを特徴とする発光素子。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Si発光装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-138333   Applicant：株式会社日立製作所
• Si発光装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-195650   Applicant：富士通株式会社