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J-GLOBAL ID：200903090953247520

窒化化合物半導体レーザー素子

Inventor： 山口 敦史
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996347836
Publication number (International publication number)：1998190146
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 しきい値電流密度の低い窒化化合物半導体レーザー素子を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれた1種の層、或いはこれらの中から選ばれた2種以上による混晶の層からなる窒化化合物半導体層を有する窒化化合物半導体レーザー素子において、熱膨張係数に異方性のある物質からなる基板であって、基板面内に熱膨張係数の異方性が現れるような基板面方位を有する基板を用いたことを特徴とする窒化化合物半導体レーザー素子。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれた1種の層、或いはこれらの中から選ばれた2種以上による混晶の層からなる窒化化合物半導体層を少なくとも1層有する窒化化合物半導体レーザー素子において、熱膨張係数に異方性のある物質からなる基板であって、基板面内に熱膨張係数の異方性が現れるような基板面方位を有する基板を用いたことを特徴とする窒化化合物半導体レーザー素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-202479   Applicant：ローム株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253784   Applicant：三洋電機株式会社