半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000363036
Publication number (International publication number)：2002164541
Application date： Nov. 29, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】素子周辺での耐圧を素子耐圧よりも高くすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1における素子周辺部において、ガードリング部Z1と連接部Z2の境界部には段差12が設けられ、段差12の低い部位において、基板1の表層部にはp型ガードリング用不純物拡散領域10が形成され、素子のブレークダウン以前に完全空乏化する。段差12の高い部位において、連接用不純物拡散領域11が形成され、素子部とガードリング用不純物拡散領域10を連接している。連接用不純物拡散領域11はガードリング用不純物拡散領域10より高濃度であり、かつ素子のブレークダウン時には表面部が完全空乏化しない。連接用不純物拡散領域11での空乏化の上限面Llimit に対しガードリング用不純物拡散領域10の上面10aが下になっている。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)における素子周辺部での基板(1)の表層部に形成され、素子のブレークダウン以前に完全空乏化するよう設計されたガードリング用不純物拡散領域(10)と、半導体基板(1)における素子部と前記ガードリング用不純物拡散領域(10)の間での基板(1)の表層部において両者を連接するように形成され、前記ガードリング用不純物拡散領域(10)より高濃度であり、かつ素子のブレークダウン時には表面部が完全空乏化しない連接用不純物拡散領域(11)と、を備えた半導体装置であって、半導体基板(1)の表面におけるガードリング用不純物拡散領域(10)と連接用不純物拡散領域(11)の境界部にあたる位置に段差(12)を設け、当該段差(12)の低い部位にガードリング用不純物拡散領域(10)を配するとともに段差(12)の高い部位に連接用不純物拡散領域(11)を配し、かつ、ガードリング用不純物拡散領域(10)の上面(10a)を、連接用不純物拡散領域(11)での空乏化の上限面(Llimit )よりも下にし、かつ、少なくとも当該連接用不純物拡散領域(11)は、当該段差(12)にかかるように形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/06

FI (2)：

H01L 29/78 652 P , H01L 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

縦型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-013835 Applicant：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
縦型MOSトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-303981 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-101267 Applicant：日本電装株式会社

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