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J-GLOBAL ID：200903091099261073

キャパシタ及びその製造方法、並びに半導体装置

Inventor： 宮澤 弘 ,  岩下 節也 ,  野口 元久 ,  樋口 天光 ,  柄沢 潤一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003428491
Publication number (International publication number)：2005191154
Application date： Dec. 25, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：

【課題】 高誘電率の誘電体膜を有することでこれを備える装置の小型化を可能にしたキャパシタ及びその製造方法と、このようなキャパシタを備えた半導体装置とを提供する。【解決手段】 本発明のキャパシタは、誘電体膜3を第1電極2と第2電極4との間に挟んだ構造を有しており、前記誘電体膜3が、BiFeO3からなる第1金属酸化物と、SrTiO3、CaTiO3、La2O3、Y2O3から選ばれる1種以上の第2金属酸化物とを含む構成とされている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

誘電体膜を第1電極と第2電極との間に挟んだ構造を有するキャパシタであって、 前記誘電体膜が、BiFeO3からなる第1金属酸化物と、SrTiO3、CaTiO3、La2O3、Y2O3から選ばれる1種以上の第2金属酸化物とを含むことを特徴とするキャパシタ。

IPC (5)：

H01L21/822 ,  C23C14/08 ,  H01L21/316 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105

FI (5)：

H01L27/04 C ,  C23C14/08 N ,  H01L21/316 B ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C

F-Term (43)：

4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA08 ,  4K029CA09 ,  4K029DB20 ,  4K029DC16 ,  5F038AC02 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F058BF20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 集積回路用キャパシタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-016029   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜キャパシタおよびこれを用いた半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-011429   Applicant：株式会社東芝
• 半導体集積回路のキヤパシタおよびこれを用いた不揮発性メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-270019   Applicant：ローム株式会社
• 薄膜キヤパシタとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-223683   Applicant：日本電気株式会社