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J-GLOBAL ID：200903067413030890

薄膜キャパシタおよびこれを用いた半導体記憶装置

Inventor：
福島 伸

About 福島 伸

, 
川久保 隆

About 川久保 隆

, 
清水 達雄

About 清水 達雄


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996011429
Publication number (International publication number)：1997139480
Application date： Jan. 26, 1996
Publication date： May. 27, 1997
Summary：
【要約】【課題】 リーク電流が少なく高誘電率の薄膜キャパシタを提供し、かつこの小面積で大容量の薄膜キャパシタ部を有する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 ペロブスカイト組成を有する誘電体膜を挟み込んだ薄膜キャパシタにおいて、このキャパシタの電極材料にABO3 で表されるペロブスカイト組成の電気伝導性酸化物を用いる。ここでAサイト構成元素はアルカリ土類金属、希土類金属のうちから選ばれた少なく共2種、Bサイト構成元素は遷移金属から選ばれた少なくとも1種である。ABO3 の各構成元素の種類やその組成を選択することにより界面のバリアーハイトや格子整合等を最適化することができる。
Claim (excerpt)：
ペロブスカイト組成を有する誘電体膜を第1および第2の電極で挟んだ構造からなるキャパシタであって、該第1および第2の電極の少なくとも一方は以下の式で示されるペロブスカイト組成の電気伝導性酸化物のグループのうちから選択したいずれかからなる薄膜であることを特徴とする薄膜キャパシタ。(イ)A1 B1 O3 [式中、A1 はアルカリ土類金属、希土類金属のうちから選ばれた少なくとも2種の元素からなる化合物、B1 はFe,Mn,Cr,TiおよびRuのうちから選ばれた少なくとも1種の元素を表わす](ロ)A2 CoO3 [式中、A2 はアルカリ土類金属のうちから選ばれた少なくとも1種の元素およびNd,Sm,Pr,およびEuのうちから選ばれた少なくとも1種からなる化合物を表わす](ハ)A3 NiO3 [式中、A3 は希土類金属のうちから選ばれた少なくとも1種の元素を表わす](ニ)A4 RuO3 [式中、A4 はアルカリ土類金属のうちから選ばれた少なくとも2種の元素からなる化合物を表わす](ホ)WReO3-δ[式中、δは酸素の欠乏している割合を表わす]
IPC (6)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C30B 29/22 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (7)：
H01L 27/10 651 ,  C30B 29/22 Z ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 625 A ,  H01L 27/10 625 C ,  H01L 27/10 671 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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