半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001395734
Publication number (International publication number)：2003008011
Application date： Dec. 27, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】高い比誘電率が確保されており且つ熱的に安定なゲート絶縁膜を用いた半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】シリコン基板10上にゲート絶縁膜11を介してゲート電極12が形成されている。ゲート絶縁膜11は、シリコン含有ハフニウムオキサイド膜よりなる高誘電率膜11aと、高誘電率膜11aの下側に形成されており、ハフニウムを含むシリコン窒化酸化膜よりなる下部バリア膜11bとを有する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、前記ゲート絶縁膜は、一の金属、酸素及びシリコンを含む高誘電率膜と、前記高誘電率膜の下側に形成されており、前記一の金属、酸素、シリコン及び窒素を含む下部バリア膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/316 M , H01L 21/316 P , H01L 29/78 301 G

F-Term (35)：

5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF06 , 5F058BF12 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BH04 , 5F058BJ04 , 5F140AA19 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD02 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF38 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

オキシ窒化ジルコニウム及び/又はハフニウム・ゲ-ト誘電体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-200829 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
珪酸塩高誘電率材料の真空蒸着
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-375450 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体デバイスにメタル窒化物膜を統合するための方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-290804 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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