Pat

J-GLOBAL ID：200903091150588546

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 佐野 雅彦 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996319067
Publication number (International publication number)：1998163571
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流、閾値電圧を低下させて室温で連続発振できるレーザ素子を提供する。【構成】 基板上にn型窒化物半導体層と活性層とp型窒化物半導体層とを順に有し、p型窒化物半導体層がリッジ形状のストライプを有し、さらに同一面側にn電極と、p電極とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極は共振面側のリッジ部を除くリッジストライプの平面と側面とに渡って形成されていることにより、実質的なコンタクト面積が大きくなって閾値が低下する。

Claim (excerpt)：

基板上にn型窒化物半導体層と活性層とp型窒化物半導体層とを順に有し、p型窒化物半導体層がリッジ形状のストライプを有し、さらに同一面側にn電極と、p電極とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極は共振面側のリッジ部を除くリッジストライプの平面と側面とに渡って形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190466   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平2-281785
  
• 半導体レーザ素子及び当該素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-316291   Applicant：株式会社日立製作所