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J-GLOBAL ID：200903091220095801

窒化物半導体素子とその製造方法

Inventor：
豊田 達憲

About 豊田 達憲

, 
中河 義典

About 中河 義典


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997336467
Publication number (International publication number)：1999150304
Application date： Nov. 19, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 安価に製造できしかも順方向電圧を小さくできる窒化物半導体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に、n型窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層を有し、p型窒化ガリウム系半導体層の一部を除去することにより露出されたn型窒化ガリウム系半導体層表面に負電極が形成されかつp型窒化ガリウム系半導体層の上面のほぼ全面に正電極が形成された窒化物半導体素子において、p型窒化ガリウム系半導体層の外周と上記正電極との外周との間の距離を、0.2μm以上であって10μm未満にする。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくともn型窒化ガリウム系半導体層を含む1又は2以上の半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層を有し、上記n型窒化ガリウム系半導体層の上面の一部が露出されて露出されたn型窒化ガリウム系半導体層上面に負電極が形成されかつ上記p型窒化ガリウム系半導体層の上面のほぼ全面に正電極が形成された窒化物半導体素子であって、上記p型窒化ガリウム系半導体層の外周と上記正電極との外周との間の距離が、0.2μm以上であって10μm未満であることを特徴とする窒化物半導体素子。
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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