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J-GLOBAL ID：200903066580280982

窒化物半導体発光素子

Inventor： 佐野 雅彦 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995281170
Publication number (International publication number)：1997129932
Application date： Oct. 30, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【目的】 発光素子として有用なp層の新規な電極を提供することにより、外部量子効率に優れた発光素子得る。【構成】 p型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層の表面のほぼ全面に、少なくともパラジウム(Pd)を含む透光性の電極が形成されているので、透光性電極を通して発光が観測でき、外部量子効率が向上する。

Claim (excerpt)：

p型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層の表面のほぼ全面に、少なくともパラジウム(Pd)を含む透光性の電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234685   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-253171   Applicant：日亜化学工業株式会社