レジストパターンの形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998090297
Publication number (International publication number)：1999288105
Application date： Apr. 02, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】ポジ型レジストを用いてパターンを形成する際、膜減りを最小限に抑えながら表面難溶化層の発生を抑制し、レジスト性能の向上及び寸法制御性の向上を図る。【解決手段】基板上にポジ型レジスト膜を形成し、そのレジスト膜にパターニング露光してから露光後ベークを施し、次いでそのレジスト膜を酸性溶液と接触させた後、現像処理することによりパターンを形成する。この方法は特に、樹脂成分と酸発生剤を含有する化学増幅型のポジ型レジストからパターンを形成する際に有効である。

Claim (excerpt)：

基板上にポジ型レジスト膜を形成し、該レジスト膜にパターニング露光してから露光後ベークを施し、次いで該レジスト膜を酸性溶液と接触させた後、現像処理することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/039 601

FI (2)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/039 601

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

レジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-351921 Applicant：新日本製鐵株式会社
微細パターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-195640 Applicant：日本電気株式会社
レジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-087726 Applicant：株式会社東芝

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