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J-GLOBAL ID：200903027478391111

レジストパターンの形成方法

Inventor：
池 田 隆 洋

About 池 田 隆 洋

, 
新 山 広 美

About 新 山 広 美

, 
西 村 英 二

About 西 村 英 二


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996087726
Publication number (International publication number)：1997251210
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 近接効果の影響を低減すした、より目標寸法に近く、寸法差の少ない極微細レジストパターンを得ることができるパターン形成方法の提供。【解決手段】 (1)被加工基板上に化学増幅型レジスト層をその溶液ないし分散液から形成させる工程、(2)(1)の基板を加熱して使用された溶剤を除去する工程、(3)(2)の基板に対してパターン化された放射線を照射する工程、および(4)(3)の基板を現像する工程、からなるパターン形成方法において、工程(1)と工程(4)の間に基板を酸性雰囲気下に保持して、(4)の現像の際にパターンを形成しないレベルの酸をレジスト層中に存在するに至らせる工程を含むレジストパターンの形成方法。
Claim (excerpt)：
(1)被加工基板上に化学増幅型レジスト層をその溶液ないし分散液から形成させる工程、(2)(1)の基板を加熱して使用された溶剤を除去する工程、(3)(2)の基板に対してパターン化された放射線を照射する工程、および(4)(3)の基板を現像する工程、からなるパターン形成方法において、工程(1)と工程(4)の間に基板を酸性雰囲気下に保持して、(4)の現像の際にパターンを形成しないレベルの酸をレジスト層中に存在するに至らせる工程を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (6)：
G03F 7/38 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027
FI (7)：
G03F 7/38 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 565 ,  H01L 21/30 568
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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