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J-GLOBAL ID：200903091345161296

レジスト材料

Inventor： 竹村 勝也 ,  石原 俊信 ,  丸山 和政 ,  竹田 好文 ,  重光 稔 ,  伊藤 健一
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994071337
Publication number (International publication number)：1995049569
Application date： Mar. 17, 1994
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 次式(1)で示されるオニウム塩、アルカリ可溶性樹脂、及び次式(2)で示される溶解阻止剤を含有してなるポリマーを有機溶媒に溶解してなることを特徴とするレジスト材料。 (R<SP>1</SP>)<SB>n</SB>MX ...(1)例(式中、R<SP>2</SP>は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表し、R<SP>3</SP>は水素原子又はメチル基を表し、R<SP>4</SP>は水素原子、COOH基又はCOOt-Bu基を表し、t-Buはt-ブチル基である。m,x,y,zは、0≦m≦0.9、0<x≦0.9、0<y≦0.9、0≦z≦0.5、m+x+y+z=1であり、式(2)のポリマーの重量平均分子量は500〜10,000である。)【効果】 レジスト材料は、ポジ型レジストとして高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性が優れている。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(1)で示されるオニウム塩、 (R<SP>1</SP>)<SB>n</SB>MX ...(1)(式中、R<SP>1</SP>は同種又は異種の非置換又は置換芳香族基を示し、Mはスルホニウム又はヨードニウムを示し、Xはp-トルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネートを示す。nは2又は3を示す。)(B)アルカリ可溶性樹脂、(C)下記一般式(2)で示されるポリマーからなる溶解阻止剤【化1】(式中、R<SP>2</SP>は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表し、R<SP>3</SP><SB></SB>は水素原子又はメチル基を表し、R<SP>4</SP>は水素原子、COOH基又はCOOt-Bu基を表し、t-Buはt-ブチル基である。m,x,y,zは、0≦m≦0.9、0<x≦0.9、0<y≦0.9、0≦z≦0.5、m+x+y+z=1であり、式(2)のポリマーの重量平均分子量は500〜10,000である。)を含有してなることを特徴とするレジスト材料。

IPC (6)：

G03F 7/039 501 ,  C08F 20/06 MLQ ,  C08F 20/18 MLZ ,  C08F212/14 MJW ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321540   Applicant：日本電信電話株式会社, 信越化学工業株式会社
• パターン形成材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-275149   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平3-289658