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J-GLOBAL ID：200903091396639123

半導体製造装置

Inventor：
青野 光弘

About 青野 光弘


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998216952
Publication number (International publication number)：2000049084
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、熱処理ユニツト内のウェハー上に排気を制御する整流板を取り付けることによって半導体ウェハー面上の不均一な排気状態を防ぎ、このことにより、熱処理ユニット内の温度分布、及びレジスト溶媒の有機溶剤の揮発量、放出ガス量、PEB工程においては光分解した感光剤を拡散させた濃度分布を均一に制御し、Siウェハー上のレジスト膜厚のバラツキ改善、PEB工程における寸法精度の向上、半導体デバイスの歩留まりの向上をはかる。【解決手段】 本発明は、熱処理ユニット内に載置された半導体ウェハー2上に、排気を制御する整流板5を所定の間隙を持って配置し、上記整流板5は、半導体ウェハー2の径によって決まる少なくとも1以上の穴と、上記半導体ウェハー2との間隙を制御する取り付け位置の可変機構を持つことを特徴とするものである。このとき、整流板5に設けられる1以上の穴の径は、上記半導体ウェハー2の径の他、熱処理ユニットの排気量、排気ユニットの取り付け位置の組み合わせにより決まる。
Claim (excerpt)：
プレート状の熱板に半導体ウェハーを接触または非接触により載置し、外部環境との遮断のため密閉構造を採る熱処理ユニット内の上記半導体ウェハー上に、排気を制御する整流板を所定の間隙を持って配置し、上記整流板は、半導体ウェハーの径によって決まる少なくとも1以上の穴と、上記半導体ウェハーとの間隙を制御する取り付け位置の可変機構を持つことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/38 ,  H05B 3/00 330 ,  H05B 3/68
FI (4)：
H01L 21/30 567 ,  G03F 7/38 ,  H05B 3/00 330 Z ,  H05B 3/68
F-Term (17)：
2H096AA25 ,  2H096FA01 ,  2H096GB00 ,  2H096GB03 ,  2H096JA03 ,  3K058AA86 ,  3K058BA19 ,  3K058CE13 ,  3K092PP09 ,  3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB32 ,  3K092RF03 ,  3K092VV22 ,  5F046AA17 ,  5F046KA10 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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