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J-GLOBAL ID：200903099533382527

半導体製造装置およびウェハの処理方法

Inventor： 宮城 聡 ,  山田 善章 ,  斉藤 隆幸
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997332584
Publication number (International publication number)：1999168045
Application date： Dec. 03, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ウェハの均一なベークを行なうことが可能となる半導体製造装置を提供する。【解決手段】 ホットプレートユニット1は、カバー2を備える。カバー2は、内壁面2cと排気口6とを備える。排気口6直下には、通気孔4aを有するプレート4が設けられる。プレート4と主面7a間の間隔と、主面7aと内壁面2c間の間隔は等しい。また、ホットプレートユニット1は、排気量を0.1(リットル/分)以上1(リットル/分)以下に抑制するための排気量調整弁5a,5bを有する。

Claim (excerpt)：

ウェハをベークするための半導体製造装置であって、チャンバと、前記チャンバ内に配置され、その上に前記ウェハが載置される加熱部と、前記ウェハの主面と対向する内壁面を有し、前記加熱部上に載置された前記ウェハの主面と前記内壁面との間隔が一定であるカバーと、前記ウェハの主面と対向する位置に設けられ、給気あるいは排気を行なう給排気口と、前記ウェハの主面との間の間隔が前記カバーの内壁面と前記ウェハの主面との間の間隔と同一となるように前記給排気口と前記ウェハとの間に設けられ、通気孔を有する部材と、を備えた半導体製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  B05C 9/14 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/40

FI (4)：

H01L 21/30 566 ,  B05C 9/14 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 熱処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-024903   Applicant：キヤノン株式会社, キヤノン販売株式会社
• 熱処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079043   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
• 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-119108   Applicant：シグマメルテック株式会社, 株式会社東芝