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J-GLOBAL ID：200903091405567947

エピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法

Inventor： 北原 功一 ,  太田 泰光
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999247879
Publication number (International publication number)：2001077119
Application date： Sep. 01, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 デバイス活性領域に近い場所において、つまり、エピ層直下のイオン注入による結晶欠陥をゲッタリングサイトとして設けることで、エピタキシャルウエハのゲッタリング能力を付与するとともに表面のエピタキシャル成長層に結晶欠陥を発生させないシリコンウエハの提供を目的とする。【解決手段】 シリコン基板のエピタキシャル成長面から深さ30nm以上1.2μm以下の領域にイオン注入による結晶欠陥層を有し、該シリコン基板のエピタキシャル成長面上に、結晶欠陥のないシリコンエピタキシャル層を堆積してなることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法である。

Claim (excerpt)：

シリコン基板のエピタキシャル成長面から深さ30nm以上1.2μm以下の領域にイオン注入による結晶欠陥層を有し、該シリコン基板のエピタキシャル成長面上に、結晶欠陥のないシリコンエピタキシャル層を堆積してなることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエハ。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01L 21/322 J ,  H01L 21/20

F-Term (5)：

5F052AA04 ,  5F052CA02 ,  5F052DA01 ,  5F052GC03 ,  5F052HA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体ウエハ、半導体ウエハの製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-042034   Applicant：株式会社日立製作所
• エピタキシャルウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-355507   Applicant：ソニー株式会社
• エピタキシャルシリコン基板及び固体撮像装置並びにこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-207756   Applicant：ソニー株式会社