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J-GLOBAL ID：200903091406408834
炭化珪素単結晶の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006087077
Publication number (International publication number)：2007261844
Application date： Mar. 28, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：
【課題】融解したSi合金の溶媒中にSiCが溶解した溶液から、種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる液相成長法による炭化珪素単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。【解決手段】溶媒としてSi-Cr合金を使用し、Crのモル濃度を[Cr]、Siのモル濃度を[Si]として、[Cr]/([Cr]+[Si])の値が0.2以上、0.6以下の組成とする。温度勾配法でSiC単結晶を連続成長させても、安定して均一なバルクまたは薄膜単結晶を成長させることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
SiとCとCrとを含み、Crのモル濃度を[Cr]、Siのモル濃度を[Si]として、[Cr]/([Cr]+[Si])の値が0.2以上、0.6以下である合金融液に、SiC成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記合金融液をSiCの過飽和状態とすることによって、前記種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる、SiC単結晶の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (14)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077CG02
, 4G077CG07
, 4G077EC08
, 4G077EJ09
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077QA04
, 4G077QA12
, 4G077QA26
, 4G077QA38
Cited by applicant (2)
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炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-072033
Applicant：株式会社日立製作所
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炭化珪素単結晶とその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-105567
Applicant：住友金属工業株式会社
Cited by examiner (2)
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炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-072033
Applicant：株式会社日立製作所
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炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-164061
Applicant：住友金属工業株式会社
Article cited by the Patent：
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