半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998141222
Publication number (International publication number)：1999340435
Application date： May. 22, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】キャパシタ電極の形成に際し、表面モフォロジーを向上させ、島状成長を抑制する。【解決手段】誘電体膜10として金属酸化物を用い、この誘電体膜を挟む電極8、11としてルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を用いたキャパシタの製造において、少なくとも一方の電極をルテノセンまたはシクロペンタジエニル環の一つ以上の水素が有機官能基に置換された有機基ルテノセンを原料ガスとして用いたCVD法で形成する際に、原料ガスの配位子であるシクロペンタジエニル基または有機官能基を持つシクロペンタジエニル基の骨格を形成するシクロペンタジエニル環を、炭素1個の基と炭素4個の基に分解させる反応または炭素1個の基と二つの炭素2個の基に分解させる反応を促進させるために、下地表面に少なくとも8族または1B族の元素を含む物質からなる触媒を形成する。

Claim (excerpt)：

誘電体膜として金属酸化物を用い、この誘電体膜を挟む電極としてルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を用いたキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、少なくとも一方の電極をルテノセンまたはシクロペンタジエニル環の一つ以上の水素が有機官能基に置換された有機基ルテノセンを原料ガスとして用いたCVD法で形成する工程を、原料ガスの配位子であるシクロペンタジエニル基または有機官能基を持つシクロペンタジエニル基の骨格を形成するシクロペンタジエニル環を、炭素1個の基と炭素4個の基に分解させる反応または炭素1個の基と二つの炭素2個の基に分解させる反応を促進させる条件下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/28 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-166092 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-231672 Applicant：株式会社東芝
特開昭62-239526

Show all

Return to Previous Page