半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231672
Publication number (International publication number)：1994338599
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】キャパシタ絶縁膜として、シリコン酸化膜よりも誘電率が高い遷移金属酸化膜を用いた場合に生じ得る、キャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜との反応に起因する信頼性の低下を防止できる半導体装置の製造法を提供すること。【構成】下部キャパシタ電極となるタングステン膜9を形成する工程と、酸化性雰囲気中の熱処理により、タングステン膜9の表面に二酸化タングステン膜10を形成する工程と、二酸化タングステン膜10上にキャパシタ絶縁膜としてチタン酸ストロンチウム膜11を形成する工程と、このチタン酸ストロンチウム膜11上に酸化ルテニウム膜12を形成する工程とを備えている。

Claim (excerpt)：

表面に導電性の金属酸化膜が形成された金属膜からなる第1のキャパシタ電極と、この第1のキャパシタ電極上に設けられ、絶縁性の金属酸化膜からなるキャパシタ絶縁膜と、このキャパシタ絶縁膜上に設けられた第2のキャパシタ電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 27/10 325 J , H01L 27/10 325 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-178614 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-216891 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-092468

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