半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995166092
Publication number (International publication number)：1997017973
Application date： Jun. 30, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】高集積化された半導体集積回路などに用いられる薄膜キャパシタの高品位化を図る。【構成】キャパシタ下部電極をイリジウムやルテニウムからなる金属電極から構成し、キャパシタ誘電体膜の形成において下部電極の酸化が生じないようにし、電極の加工を容易にするとともに、安定なキャパシタ特性を得るようにした。

Claim (excerpt)：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板の主表面にまで達する開口部を有する層間絶縁膜と、前記開口部に埋め込まれた接続部材と、前記接続部材を介して前記半導体基板の主表面と電気的に接続されたキャパシタ下部電極と、前記キャパシタ下部電極上に形成された高誘電率材料からなるキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成されたキャパシタ上部電極とを備えた半導体記憶装置であって、前記キャパシタ下部電極が金属電極で構成されていて、前記金属電極がルテニウム又はイリジウムを主たる構成元素とし、かつキャパシタ誘電体膜形成時に前記金属電極表面に前記金属電極材料の酸化物層が形成されていないことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01G 4/33 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01G 4/06 102 , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-000158 Applicant：日本電気株式会社
電子デバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-104146 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-227467 Applicant：株式会社東芝

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半導体装置
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