半導体レーザ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000074353
Publication number (International publication number)：2001168445
Application date： Mar. 16, 2000
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザチップが、はんだにより台座に固定する際に、台座やサブマウントから受ける応力に起因して発生するキンクの発生電流値を高くして信頼性の向上を図る。【解決手段】鉄系材料(もしくは銅系材料)の台座上にマウントする場合に、半導体レーザチップの幅寸法Wを700μm、厚さ寸法Hを120μm、サブマウントの厚さ寸法Hsを140μmとして、それらの和の厚さ寸法hを260μmに設定すると、半導体レーザチップの発光領域は台座およびサブマウントから応力を受けないようにすることができ、高い駆動電流値まで残留応力に起因したキンクの発生を無くすることができる。また、残留応力の値とキンクの発生電流との関係を求めると、必要な動作電流の範囲でキンクの発生を抑制する厚さ寸法hの条件を設定することができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面に金属層を有する台座と、この台座上に金属はんだにより固定された半導体レーザチップとを備えた半導体レーザ装置において、前記半導体レーザチップを前記台座上に固定したときに冷却後に発光領域が受ける圧縮あるいは引張の残留応力が、許容応力値60MPa(6×107Pa)以下となるように前記半導体レーザチップの幅寸法Wと厚さ寸法Hとの比W/Hを設定したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 5/022 , H01L 23/12 , H01L 23/14

FI (3)：

H01S 5/022 , H01L 23/12 F , H01L 23/14 S

F-Term (10)：

5F073BA09 , 5F073CA04 , 5F073CA12 , 5F073CB02 , 5F073DA34 , 5F073DA35 , 5F073EA16 , 5F073EA28 , 5F073FA13 , 5F073FA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-166495 Applicant：株式会社東芝
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-105149 Applicant：富士通株式会社
特開昭59-017292

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