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J-GLOBAL ID：200903091518428641

半導体レーザ

Inventor： 多田 健太郎 ,  山崎 裕幸
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994050830
Publication number (International publication number)：1995235732
Application date： Mar. 22, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低閾値電流で発振し、温度特性が良好な半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1上に、n型AlGaInPクラッド層2、ホールが各量子井戸に均一に注入されるように各バリヤのAl組成が適度に異なるAlGaInP多重量子井戸構造を有する活性層3、p型AlGaInPクラッド層4、p型GaInPヘテロバッファ層5、p型GaAs層6を順次積層し、エッチングプロセスによってメサを形成した後、n型GaAsブロック層7を積層し、p側、n側それぞれに電極を蒸着し、劈開する。多重量子井戸活性層の各バリヤのAl組成をp側からn側へ向かうにしたがって徐々に減らすことにより、電子のオーバーフローが少なく、かつホールを各量子井戸に均一に注入できる、低閾値で温度特性の良好な半導体レーザを得る。

Claim (excerpt)：

導電性半導体基板上に、多重量子井戸構造からなる活性層と、この活性層を挟み活性層よりも屈折率の小さな光ガイド層からなるダブルヘテロ構造を少なくとも有し、該多重量子井戸活性層のバリヤ層でのエネルギーギャップがp側からn側若しくは、n側からp側に向かって小さくなっていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-264051   Applicant：富士ゼロツクス株式会社
• 特開平2-192785
  
• 半導体レーザの量子井戸構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-309424   Applicant：株式会社フジクラ
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-315202   Applicant：富士通株式会社