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J-GLOBAL ID：200903091519319129

窒化物半導体レーザ素子及び、その製造方法

Inventor： 神川 剛 ,  金子 佳加
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (2)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004000328
Publication number (International publication number)：2005197347
Application date： Jan. 05, 2004
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：

【課題】 本発明は、窒化物半導体レーザ素子を作製する際し、クラックの発生を防止し、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層を形成して、窒化物半導体レーザ素子を高い歩留まりで製造する方法を提案することを目的とする。 【解決手段】 本発明の窒化物半導体発光素子及びその製造方法は、窒化物半導体基板の表面に、欠陥密度が106cm-2以下の低欠陥領域と、凹部が形成された掘り込み領域とが設けられ、前記凹部の断面形状において、前記凹部の側面部と前記凹部の底面部延長線との間の角度であるエッチング角度θが、75度≦θ≦140度であることを特徴とする。このことにより、クラックの発生を防止し、併せて、前記掘り込み領域の底面成長部からの這い上がり成長を抑制し、側面成長部の膜厚を抑えることで、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層が形成された窒化物半導体レーザ素子を高い歩留まりで得ることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくとも表面側の一部が窒化物半導体である窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板の表面に形成される窒化膜半導体成長層と、を備える窒化物半導体発光素子において、 前記窒化物半導体基板の表面に、欠陥密度が106cm-2以下の低欠陥領域と、凹部が形成された掘り込み領域とが設けられ、 前記凹部の断面形状において、前記凹部の側面部と前記凹部の底面部延長線との間の角度であるエッチング角度θが、75度≦θ≦140度であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (1)：

H01S5/343

FI (1)：

H01S5/343 610

F-Term (4)：

5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-315704   Applicant：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社
• 窒化物半導体発光素子とその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-038228   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-065805   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-139654   Applicant：富士写真フイルム株式会社

Cited by examiner (3)

• 窒化物半導体発光素子とその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-038228   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-065805   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-139654   Applicant：富士写真フイルム株式会社