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J-GLOBAL ID：200903004389985938

窒化物半導体発光素子

Inventor：
上田 吉裕

About 上田 吉裕

, 
湯浅 貴之

About 湯浅 貴之

, 
高倉 輝芳

About 高倉 輝芳


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001065805
Publication number (International publication number)：2002270970
Application date： Mar. 08, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：
【要約】【課題】クラックの発生を抑制して留まりを向上させる。【解決手段】窒化物半導体発光素子1は、InGaN多重量子井戸活性層107と(0001)面GaN基板101との間に周期的なランド/グルーブ構造が形成され、かつ、このランド/グルーブ構造上に低温バッファ層104を介して、n型AlGaNクラッド層105から再成長させ、リッジストライプがグルーブ部直上に配置されるようにInGaN多重量子井戸活性層107などからなる素子構造が形成されている。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長可能な基板上に一般式InxGayAl1-(x+y)N(0≦x≦1,0≦x+y≦1)で表される窒化物半導体を複数層積層した構造を有する窒化物半導体発光素子であって、少なくとも素子の活性層と基板との間に周期的なランド/グルーブが設けられ、かつ、該ランド/グルーブ上に低温バッファ層を介して素子構造が設けられた窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205
F-Term (25)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA24 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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