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J-GLOBAL ID：200903002472194885

半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法

Inventor： 簗嶋 克典 ,  小林 俊雅 ,  中島 博 ,  元木 健作
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社 ,  ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001315704
Publication number (International publication number)：2003124573
Application date： Oct. 12, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子や特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体素子を実現する。【解決手段】 第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域A中に第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域Bが規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板1の主面上に発光素子構造あるいは素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子あるいは半導体素子を製造する際に、窒化物系III-V族化合物半導体層が窒化物系III-V族化合物半導体基板1の主面上で第2の領域Bと直接接触しないようにする。

Claim (excerpt)：

第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板の主面上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、上記窒化物系III-V族化合物半導体層が上記窒化物系III-V族化合物半導体基板の主面上で上記第2の領域と直接接触しないようにしたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (8)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/80 ,  H01L 33/00

FI (7)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/308 C ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/72 H ,  H01L 21/302 C ,  H01L 29/80 Z

F-Term (57)：

5F003AZ01 ,  5F003BF06 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP31 ,  5F003BP32 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DB03 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA34 ,  5F004EA38 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043FF01 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045HA03 ,  5F045HA04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-335591   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体素子用基板およびその製造方法およびその半導体素子用基板を用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-285146   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 半導体素子用基板およびその製造方法およびそれを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-082287   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 半導体素子用基板およびその製造方法およびそれを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-082286   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 半導体素子用基板およびその製造方法およびその半導体素子用基板を用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-292112   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-126989   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 転位線の伝搬方向の制御方法およびその用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-293049   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-035638   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体レーザ装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-233866   Applicant：松下電器産業株式会社
• 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-273882   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-013440   Applicant：三菱電線工業株式会社