グラフェンシートの製造方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007322408
Publication number (International publication number)：2009143761
Application date： Dec. 13, 2007
Publication date： Jul. 02, 2009
Summary：

【課題】結晶性、層数を制御する。【解決手段】基板11上に絶縁層12を介して形成した活性層13にフラーレン分子14を堆積する工程と、活性層13およびフラーレン分子14を加熱して炭化物層15を形成する工程と、炭化物層15をさらに加熱する工程と、を有するグラフェンシート16の製造方法によって、基板11上に絶縁層12を介して形成した活性層13にフラーレン分子14が堆積され、活性層13およびフラーレン分子14を加熱して炭化物層15が形成され、炭化物層15がさらに加熱されて、ドメイン数が少なく高い結晶性を持つグラフェンシート16が形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に絶縁層を介して形成した活性層にフラーレン分子を堆積する工程と、前記活性層および前記フラーレン分子を加熱して炭化物層を形成する工程と、前記炭化物層をさらに加熱する工程と、を有することを特徴とするグラフェンシートの製造方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 , H01L 21/28 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

C01B31/02 101Z , H01L21/28 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

F-Term (50)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AD22 , 4G146AD28 , 4G146BA04 , 4G146BB05 , 4G146BB10 , 4G146CB11 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB14 , 4M104BB30 , 4M104BB34 , 4M104CC01 , 4M104DD79 , 4M104DD83 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

グラファイト層の形成方法、該方法によって形成されたグラファイト層を有するX線光学素子及びX線光学素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-058732 Applicant：新技術事業団, 松井丈雄, 菊地理恵, 大木芳正

Cited by examiner (2)

金属炭化物微細粒子による被膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-086729 Applicant：トヨタ自動車株式会社
特開平1-297813

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