固体レーザー装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：小野新次郎 , 社本一夫 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 岡本芳明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008120278
Publication number (International publication number)：2009272396
Application date： May. 02, 2008
Publication date： Nov. 19, 2009
Summary：

【課題】利得が高く、高効率な短パルステラヘルツ波の発生が可能な固体レーザー装置を提供する。【解決手段】レーザー利得媒質1と、レーザー発振器からの種光を装置へ取り込み増幅されたレーザー光パルスを装置から出力する光スイッチ3とを有する固体レーザー装置であって、レーザー利得媒質1として、イッテルビウムを添加した4フッ化ルテチウム-リチウム(LuLiF4)結晶を液体窒素温度以下に冷却して用いる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

広帯域蛍光スペクトルを有するレーザー利得媒質を用い、かつ、当該利得媒質を温度制御することにより2つ以上の波長で同時にレーザー発振可能なことを特徴とする固体レーザー装置。

IPC (2)：

H01S 3/042 , H01S 3/102

FI (2)：

H01S3/04 L , H01S3/102

F-Term (5)：

5F172AE01 , 5F172AF06 , 5F172NN08 , 5F172NN17 , 5F172NS18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

周波数変換型固体レーザ装置、周波数2倍型固体レーザ装置および周波数変換型結合型共振キャビティ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-148182 Applicant：チャンフェン・ジン, ラインハルト・ブラッフ
近接二波長可変レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-246226 Applicant：住友金属鉱山株式会社
レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-188123 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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