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J-GLOBAL ID：200903003912745222

レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法

Inventor：
下村 明久

About 下村 明久

, 
小路 博信

About 小路 博信


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004188123
Publication number (International publication number)：2005039250
Application date： Jun. 25, 2004
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：
【課題】 半導体膜の結晶化に高調波を有するレーザー結晶化を用いると、基本波に対する高調波のエネルギー変換効率が低く問題である。そして高調波に変換されたレーザー光は、基本波の場合に比べてエネルギーが低いため、ビームスポットの面積を広げてスループットを高めることが難しい。【解決手段】 本発明は、レーザーの基本波と、基本波以下の波長、代表的には該基本波が変換された高調波とを、同時に照射するレーザー照射装置であって、一つの共振器から射出される基本波と、基本波以下の波長とを有するレーザー光を分離させずに照射することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基本波と、前記基本波以下の波長とを出力するレーザ共振器と、 被照射物と前記レーザ共振器からのレーザ光とを相対的に移動させる手段と、 前記レーザ光を線状レーザに加工する手段と、 を有するレーザ照射装置であって、 前記線状レーザに加工する手段は、前記基本波及び前記基本波以下の波長を有するレーザ光を集光する手段を有することを特徴するレーザ照射装置。
IPC (7)：
H01L21/268 ,  B23K26/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01S3/00 ,  H01S3/108
FI (8)：
H01L21/268 J ,  H01L21/268 T ,  B23K26/06 A ,  B23K26/06 E ,  H01L21/20 ,  H01S3/00 B ,  H01S3/108 ,  H01L29/78 627G
F-Term (54)：
4E068AH00 ,  4E068CA01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA08 ,  4E068CD02 ,  4E068CD05 ,  4E068CD08 ,  4E068CD11 ,  4E068CD13 ,  4E068DA09 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052EA12 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP34 ,  5F172AE03 ,  5F172AE09 ,  5F172AF02 ,  5F172NQ62 ,  5F172ZZ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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