面発光レーザ素子および面発光レーザアレイ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004309996
Publication number (International publication number)：2006121010
Application date： Oct. 25, 2004
Publication date： May. 11, 2006
Summary：

【課題】十分な発光強度を得ることが可能な面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを得る。【解決手段】この発明に従った単位素子1は、n-GaN基板13と、n-GaN基板13上に形成された、1つまたは2つのエピタキシャル多層膜層としての分布型ブラッグ反射膜(DBR17)とを備える。DBR17は、AlXGaYIn1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)という組成の材料を主成分とする一方層と、AlZGaWIn1-Z-WN(0≦Z≦1、0≦W≦1、0≦Z+W≦1)という組成の材料を主成分とし、一方層とは異なる組成である他方層とを含む。DBR17の1つの厚みTは3μm以上6μm以下である。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

窒化ガリウムからなる基板と、前記基板上に形成された、1つまたは2つのエピタキシャル多層膜層とを備え、前記エピタキシャル多層膜層は、 AlXGaYIn1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)という組成の材料を主成分とする一方層と、 AlZGaWIn1-Z-WN(0≦Z≦1、0≦W≦1、0≦Z+W≦1)という組成の材料を主成分とし、前記一方層とは異なる組成である他方層とを含み、前記エピタキシャル多層膜層の1つの厚みは3μm以上6μm以下である、面発光レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/183 , H01S 5/343

FI (2)：

H01S5/183 , H01S5/343 610

F-Term (18)：

5F173AC03 , 5F173AC14 , 5F173AC35 , 5F173AC42 , 5F173AC52 , 5F173AD02 , 5F173AF65 , 5F173AF75 , 5F173AF76 , 5F173AF78 , 5F173AG03 , 5F173AG24 , 5F173AH22 , 5F173AK05 , 5F173AK08 , 5F173AK13 , 5F173AP05 , 5F173AR14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体デバイス、面発光型半導体レーザ、及び端面発光型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-017582 Applicant：富士ゼロックス株式会社
窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-116613 Applicant：日亜化学工業株式会社

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