半導体デバイス、面発光型半導体レーザ、及び端面発光型半導体レーザ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000017582
Publication number (International publication number)：2000349393
Application date： Jan. 26, 2000
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】格子不整合材料を用いて形成した良好な結晶品質の擬似格子整合層を有する半導体デバイスを提供する。【解決手段】 GaN結晶層基板11上に、n型Al0.5Ga0.5N引張り歪み層12A(下側)とn型Ga0.9In0.1N圧縮歪み層12B(上側)を16.5周期成長し、n型DBRミラー12を形成し、その上にノンドープのGaNスペーサ層13と活性領域14とを成長し、その上にノンドープのGaNスペーサ層15を成長する。スペーサ層15上にp型Al0.5Ga0.5N引張り歪み層16A(下側)とp型Ga0.9In0.1N圧縮歪み層16B(上側)を12周期成長し、p型DBRミラー16を形成して、面発光型半導体レーザを作製する。

Claim (excerpt)：

面内方向における結晶固有の格子定数がa0の半導体結晶からなる半導体基礎層と、面内方向における結晶固有の格子定数がa0より大きい半導体結晶からなる第1の層と面内方向における結晶固有の格子定数がa0より小さい半導体結晶からなる第2の層とを含み、第1の層に発生した格子歪みと第2の層に発生した格子歪みとが逆方向の歪みとなるように第1の層及び第2の層を半導体基礎層上にエピタキシャル成長させることによって擬似格子整合させた擬似格子整合層と、キャリアの再結合、発生、及び移動のいずれかの機能を発現する機能発現層と、を有する半導体デバイス。

IPC (3)：

H01S 5/183 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3)：

H01S 5/183 , H01L 33/00 C , H01S 5/323

F-Term (14)：

5F041AA40 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA39 , 5F041CA40 , 5F041CB15 , 5F073AA65 , 5F073AB17 , 5F073CA07 , 5F073CA12 , 5F073CA13 , 5F073CA14 , 5F073CA17 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体分布ブラッグ反射鏡及びそれを用いた面発光型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-114569 Applicant：株式会社日立製作所
波長制御型面発光半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-135985 Applicant：古河電気工業株式会社
化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-061203 Applicant：株式会社東芝

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