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J-GLOBAL ID:200903091884025690
超臨界乾燥方法および超臨界乾燥装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山川 政樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000134441
Publication number (International publication number):2001319917
Application date: May. 08, 2000
Publication date: Nov. 16, 2001
Summary:
【要約】【課題】 パターン倒れの発生を抑制し、より迅速に超臨界乾燥ができるようにする。【解決手段】 パターン101aが形成された基板101を水102に浸漬して水洗した後、基板101を所定の密閉可能な容器の反応室内に載置し、この反応室内に界面活性剤が添加された液化二酸化炭素を導入し、界面活性剤が添加された液化二酸化炭素103に浸漬させる。
Claim (excerpt):
基板上に形成された所定のパターンを有するパターン層を水に晒す第1の工程と、この第1の工程の後、前記パターン層に前記水が付着している状態で前記パターン層を界面活性剤が添加された大気雰囲気では気体である無極性物質の液体に晒し、前記パターン層に付着している水を前記無極性物質の液体に乳化させる第2の工程と、この第2の工程の後、前記パターン層に付着している無極性物質を超臨界状態とする第3の工程と、この第3の工程の後、前記パターン層に付着している超臨界状態の無極性物質を気化させる第4の工程とを少なくとも備えたことを特徴とする超臨界乾燥方法。
IPC (6):
H01L 21/304 651
, C11D 1/06
, C11D 1/82
, F26B 7/00
, F26B 9/06
, F26B 21/14
FI (6):
H01L 21/304 651 Z
, C11D 1/06
, C11D 1/82
, F26B 7/00
, F26B 9/06
, F26B 21/14
F-Term (24):
3L113AA01
, 3L113AB10
, 3L113AC48
, 3L113AC49
, 3L113AC50
, 3L113AC57
, 3L113AC67
, 3L113AC75
, 3L113BA34
, 3L113CA08
, 3L113CA10
, 3L113CA11
, 3L113CB23
, 3L113CB28
, 3L113DA04
, 3L113DA10
, 3L113DA24
, 4H003AA02
, 4H003AB06
, 4H003AC21
, 4H003BA12
, 4H003DA15
, 4H003EA31
, 4H003FA21
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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超臨界乾燥装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-248672
Applicant:日本電信電話株式会社
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液体CO2/超臨界CO2中で使用するための界面活性剤
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-251729
Applicant:エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
-
特開平1-170026
-
レジスト除去方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-171479
Applicant:シャープ株式会社
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