窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002034089
Publication number (International publication number)：2002324914
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 MOVPE、MBE法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にn型窒化物半導体を成長させる際に、n型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、n型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。【解決手段】 In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a≦1)、もしくはAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0<b≦1)、または組成の異なるAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b≦1)の薄膜を積層した多層膜の内のいずれか一種類を含む第2のn型窒化ガリウム系化合物半導体層33を、第1のn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、第3のn型窒化ガリウム系化合物半導体層とで挟んだ構造を有するn型窒化ガリウム系化合物半導体を、基板1と活性層5との間に有するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a≦1)、もしくはAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0<b≦1)、または組成の異なるAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b≦1)の薄膜を積層した多層膜の内のいずれか一種類を含む第2のn型窒化ガリウム系化合物半導体層を、第1のn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、第3のn型窒化ガリウム系化合物半導体層とで挟んだ構造を有するn型窒化ガリウム系化合物半導体を、基板と活性層との間に有するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

F-Term (20)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F073AA55 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特許第3548442号
特開平4-321280
膜モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-129396 Applicant：旭化成工業株式会社

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Cited by examiner (1)

特許第3548442号

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